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陈心满

陈心满,男,江西人,博士、副研究员、硕士生导师。2009年中山大学凝聚态物理专业博士毕业新一代非挥发性存储器阻变存储器(RRAM)的性能优化物理机制探索、纳米结构的设计制备及在超级电容器方面的应用领域并取得一些创新性成果,多次在相关学术会议上口头报告研究进展。近年来已在Appl. Phys. Lett.Electrochimica Acta等国际重要学术期刊上发表SCI 学术论文40余篇,论文已被他引500余次申请国家发明专利主持包括国家自然科学基金、教育部博士点基金、广东省自然科学基金、广州市科技计划等在内的多个科研项目纳入广东省 “千百十人才培养工程华南师范大学校级培养计划广东省科技库入库专家,也是Appl. Phys. Lett.NanotechnologyACS Appl. Mater. InterfaceChem. Eng. J.Electrochimica Acta等多个国际学术刊物的通讯评审。

联系电话:020-85215603-812

邮箱:xmchenscnu@163.com


 



上海师范大学,从事光电材料与器件的研究。

2009/07-2011/10

华南师范大学光电子材料与技术研究所,从事微电子材料与集成器件、新能源材料与器件两个方面的研究。


2011/011-至今



主持项目:


1. 国家自然科学基金面上基金项目编号: 61674059,起始时间:2017.1~2020.12,主持;

2. 广东省公益研究与能力建设专项项目编号:2015A010103012,起始时间:2015.8~2018.7,主持;

3. 广东省自然科学基金,项目编号:2015A030313389,起始时间:2015.8~2018.7,主持;

4. 企业委托技术开发项目(横向),起始时间:2016.11-2020.6,主持

5. 广东省应用型科技研发专项项目编号: 2015B010132009,起始时间:2015.1-2017.12,参与;

6. 国家自然科学基金青年基金,项目编号:61204102,起始时间:2013.1-2015.12,主持;

7. 广州市科技计划,项目编号:2014J4100029,起始时间:2014.5-2016.4,主持;

8. 教育部高等院校博士学科点基金,项目编号: 20124407120013,起始时间:2013.1-2015.12,主持;

9. 广东省教育厅育苗工程基金,项目编号:2012LYM_0046,起始时间:2012.8-2014.7,主持。

[1] Dongliang Wang, Fengzhen Ji, Xinman Chen, (通讯) Yan Li, Baofu Ding, and Yong Zhang, Quantum conductance in MoS2 quantum dots-based nonvolatile resistive memory device, Appl. Phys. Lett. 110, 093501 (2017);

[2] Liping Kuang , Fengzhen Ji , Xuexue Pan, Dongliang Wanga, Xinman Chen,(通讯) Dan Jiang, Yong Zhang, Baofu Ding, Mesoporous MnCo2O4.5 nanoneedle arrays electrode for high-performance asymmetric supercapacitor application. Chem. Eng. J. 315 (2017) 491–499

[3] F. Z. Ji, D. Jiang, X. M. Chen,* X. X Pan, L. P. Kuang, Y. Zhang, K. Alamesh, B. F. Ding, Simple in-situ growth of layered Ni3S2 thin film electrode for the development of high-performance supercapacitors, Appl. Surf. Sci. 399, 432 (2017)

[4] X. M. Chen, (通讯) W. Hu, Y. Li, S. X. Wu, D. H. Bao, Complementary resistive switching evolved from bipolar TiN/HfO2/Pt device, Appl. Phys. Lett. 108, 053504 (2016) 

[5] X. X Pan, F. Z. Ji, L. P. Kuang, F. Liu, Y. Zhang, X. M. Chen, (通讯) B. F. Ding, K. Alamesh, Synergetic effect of three-dimensional Co3O4@Co(OH)2 hybrid nanostructure fore electrochemical energy storage, Electrochimica Acta, 215, 298, (2016)

[6] Y. Li, X. X Pan, Y. Zhang, X. M. Chen*, Write-Once-Read-Many-Times and Bipolar Resistive Switching Characteristics of TiN/HfO2/Pt Devices Dependent on the Electroforming Polarity, IEEE Electron Dev. Lett. 36, 1149 (2015)  

[7] Xuexue Pan, Xinman Chen, Yan Li, Zenan Yu, Facile Synthesis of Co3O4 Nanosheets Electrode with Ultrahigh Specific Capacitance for Electrochemical Supercapacitors, Electrochimica Acta 182, 1101 (2015)

[8] X. M. Chen, W. Hu, S. X. Wu, D. H. Bao. Stabilizing resistive switching performances of TiN/MgZnO/ZnO/Pt heterostructure memory devices by programming the proper compliance current, Appl. Phys. Lett. 104, 043508 (2014)

[9] X. M. Chen, W. Hu, S. X. Wu, D. H. Bao. Complementary switching on TiN/MgZnO/ZnO/Pt bipolar memory devices for nanocrossbar arrays, J. Alloys Compds. 615, 566 (2014)

[10] X. M. Chen, G. H. Wu, D. H. Bao. Resistive switching behavior of Pt/Mg0.2Zn0.8O/Pt devices for nonvolatile memory applications, Appl. Phys. Lett. 93, 093501 (2008)

[11]  X. M. Chen, G. H. Wu, W. F. Liu, P. Jiang, D. H. Bao. Colossal resistance switching effect in Pt/spinel-MgZnO/Pt devices for nonvolatile memory applications, Appl. Phys. Lett. 94, 033501 (2009)

[12]  X. M. Chen, K. B. Ruan, G. H. Wu, D. H. Bao. Tuning electrical properties of transparent p-NiO/n-MgZnO heterojunctions with band gap engineering of MgZnO, Appl. Phys. Lett. 93, 112112 (2008) 


[1] 陈心满,一种互补型阻变存储器及其制备方法,专利号:ZL 2014 1 0003695.9

[2] 陈心满,李艳,具有多种存储效应的电学元件及其制备方法,申请号:201510259245.0

[3] 陈心满,潘雪雪,超高比容量介孔Co3O4纳米片电极材料及其制备方法,申请号:201510259233.8

[4] 陈心满,潘雪雪,一种基于MoS2阳极的非对称超级电容器及其制备方法,申请号:201510821905.X

[5] 陈心满,冀凤振,潘雪雪,匡鲤萍,章勇,一种MoS2量子点的制备方法,申请号201610250811.6

     [6] 陈心满,王栋梁,冀凤振,李艳,匡鲤萍,章勇,基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,申请号20161129142.9 

 

 

 

 

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