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尹以安

  尹以安副研究员,2008年厦门大学物理与机电学院半导体物理与器件物理专业博士毕业;现为华南师范大学光电子材料与技术研究所的研究人员。主要从事Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料的外延生长, 利用MOCVD技术,在蓝宝石衬底上生长GaN系列材料,研究其光电性质和研制半导体蓝、绿光发光二极管、探测器、激光器及P型欧姆接触近5年来,在国内外重要刊物上发表论文10多篇,申请发明专利2个。 联系方式:yinya@scnu.edu.cn,Tel:02085212667-809



厦门大学物理与机电学院 博士学位

2008.7

华南师范大学,从事半导体Ⅲ-Ⅴ族材料生长和半导体光电子器件研究工作

2008.7~至今

华南师范大学,从事《量子阱超晶格》《半导体光学性质》《现代半导体物理与器件》的教学工作

2008.7~至今



国家“863”计划资助项目 “GaN基材料P型欧姆接触电阻技术及产业化研究”(第三承担者)


国家“863”计划资助项目“GaN基垂直腔面激光器的研制” (第三承担者)

国家科技攻关计划“功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术” (第三承担者)


国家自然科学基金课题“无应变InAlGaN/GaN pin紫外光电探测器研究”(第三承担者)



1.尹以安,刘宝林,“低p-GaN欧姆接触的研究”,光电子激光,Vol.18,No.2:216-219(2007)
2.Yian Yin, Baolin Liu, Baoping Zhang, Guoxing Lin, The effect of surface layer of capping p-InGaN/p-GaN superlattices on the contact to p-GaN, supelattice and microstructure ,Vol.43,No.3:162–167(2008)
3. Qing-Hong Zheng ,Yi-An Yin, Li-Hong Zhu,Jin Huang, Xiao-Ying Li and Bao-Lin Liu,Tailoring the hole concentration in superlattices based on nitride alloys ,Apply Physicis Letter,94,222104(2009)
4. 尹以安,郑清洪,黄瑾,刘宝林,“InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触” 半导体光电,2009年第31期。



1.“一种p-GaN低阻欧姆接触制备方法”,专利号:ZL2007100099553
2.“氮化镓基蓝光发光二极管”,公开号:CN1862843

 

 

 

 

 

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