快速热处理（RTP）是将晶片快速加热到设定温度，进行短时间快速热处理的方法。RTP系统采用辐射热源对晶片进行一片一片的加热，温度测量和控制通过高温计完成热处理时间通常小于1~2分钟，可用于氧化、退火、金属硅化物的形成和快速热化学沉积，RTP系统中，热源直接面对晶片表面，因此在处理大直径晶片时不会影响工艺处理的均匀性和升（降）温速度。RTP系统还有晶片旋转功能使热处理均匀性更佳。RTP已逐渐成为先进半导体制必不可少的一项工艺