王幸福，研究员，博士生导师。

1986年生于安徽萧县，2010年进入华南师范大学攻读硕士和博士学位，主要研究GaN纳米材料的MOCVD制备；2014年赴美国佐治亚理工学院进行海外研究，合作导师为国际顶尖纳米材料科学家、中科院外籍院士Zhong Lin Wang教授，期间主要从事基于GaN纳米线的压电电子和压电光电子学效应的研究；2017年10月入选华南师范大学“青年拔尖”人才计划，2018年广东省“杰出青年”基金获得者，2020年广东省“第三代半导体材料与器件”重点领域研发计划首席科学家。

至今以第一或共同第一作者在Advanced Materials、Nano   Letters、ACS Nano等期刊发表学术论文40余篇，获得多项发明专利。参与主持过中国国家自然科学基金、广东省“杰出青年”基金、美国国家自然科学基金、美国能源部基础能源科学基金等。

作为第三代半导体材料的的典型代表，氮化镓（GaN）半导体是当今信息科学和技术领域关键材料之一，也是突破西方国家“卡脖子”问题的重要突破口，已被列入国家“十四五”纲要和各地方政府面向基础科研和产业变革的重要规划发展方向。围绕当前氮化镓材料和器件所面临的电学、热学、光电转换技术瓶颈和基础科学问题，课题组主要研究低成本、高效率GaN外延剥离技术和方法，在此基础上开展新型微纳光电器件和功能化异质集成器件与系统。

课题组学生多次获得国家奖学金、优秀毕业生等荣誉，指导学生获批广东省大学生“攀登计划”重点项目；课题组毕业生进入北京大学、浙江大学、东南大学、紫光集团、南京55所等单位深造或工作。欢迎有志于从事半导体、微电子、集成电路相关领域的学生加入。

联系方式：xfwang@scnu.edu.cn