返回首页 >>


李京波 教授



1.jpg 李京波 教授



   李京波,二级教授、博士生导师。1971年生,2001年毕业于中国科学院半导体研究所,获博士学位;2001年2月至2004年8月美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后;2004年9月至2007年5月,美国再生能源国家实验室任助理研究员,2007年5月至2019年1月在中国科学院半导体研究所任研究员、博导、课题组长;2019年1月任华南师范大学半导体科学技术研究院院长。2015年入选中组部第二批“万人计划”,2015年起享受国务院政府特殊津贴,2014年入选科技部“中青年科技创新领军人才”,2009年获“国家杰出青年基金”。在Nature、Nature Materials、PRL、Nano Letter、Adv. Materials等国际著名期刊发表SCI论文200余篇,被SCI他引超过一万次,被SCI引用超过100次的论文有31篇。2017年入选美国“科睿唯安”(Clarivate Analytics)全球“高被引学者”榜单(物理学科),2017年作为第一完成人“新型半导体深能级掺杂机制研究”获得国家自然科学二等奖。


   科研方向:半导体掺杂机制、光电材料与器件、二维半导体器件、第三代半导体功率器件。


 

   联系方式:jbli@m.scnu.edu.cn




2.gif

2019-01至今 华南师范大学 二级教授、博导、半导体科学技术研究院院长;

2007-05至2019-01中国科学院半导体研究所 二级研究员、博导、课题组长;

2004-09至2007-04美国再生能源国家实验室 助理研究员;

2001-08至2004-09美国劳伦斯伯克利国家实验室 博士后。

 

5.jpg

2017年,国家自然科学奖二等奖(排名第一);

2018年,浙江省技术发明三等奖(排名第一);

2015年,入选中组部第二批“万人计划”;

2015年,享受国务院政府特殊津贴;

2014年,获科技部“中青年科技创新领军人才”;

2012年,中国科学院“百人计划”终期评估获评“优秀”;

2009年,获“国家杰出青年基金”(信息学部);

2007年,入选中国科学院“百人计划”;

1998年,获广东省高校科技进步二等奖(排名第五)。

 

3.gif(代表性论文十篇,*为通讯作者):

[1]H. W. Peng, H.J. Xiang, S.-H. Wei*, S.-S. Li, J.-B. Xia, and Jingbo Li*, “Origin  and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0-semiconductors”, Phys. Rev. Lett. 102, 017201(2009).

[2]Y.Q. Gai, Jingbo Li*, S.-S. Li, J.-B. Xia, and S.-H. Wei*, “Design of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping  approach”, Phys. Rev. Lett. 102, 036402(2009).

[3]J. Kang, Jingbo Li*, F. M. Wu, S. S. Li, J. B. Xia, L. W. Wang, “Elastic, electronic and optical properties of two-dimensional graphyne sheet”, J. Phys. Chem. C, 115, 20466(2011).

[4]C. Li, Jingbo Li*, F. M. Wu, S. S. Li and J. B. Xia “High Capacity Hydrogen Storage in Ca Decorated Graphyne: A First-Principles Study”, J. Phys. Chem. C, 115, 23221(2011).

[5]J. Kang, S. Tongay, J. Zhou, Jingbo Li*, and J. Wu*, “Band offsets and Heterostructures of Two-Dimensional Semiconductors”, Appl. Phys. Lett.,102, 012111(2013).

[6]Q. Yue, Z. Shao, S. Chang, Jingbo Li*, “Adsorption of gas molecules on monolayer MoS2 and effect of applied electric field”, Nanoscale Res. Lett., 8, 425(2013).

[7]N. J. Huo, J. Kang, Z. M. Wei, S. S. Li, Jingbo Li* and S. H. Wei*, “Novel and Enhanced Optoelectronic Performances of Multilayer MoS2-WS2 Heterostructure Transistors”, Adv. Funct. Mater., 24, 7025(2014).

[8]S. Yang, C. Wang, H. Sahin, H. Chen, Y.  Li, S. Li, A. Suslu, F. Peeters, Q. Liu*, Jingbo Li*, S. Tongay*, “Tuning the Optical, Magnetic, and  Electrical Properties of ReSe2 by Nanoscale Strain Engineering”, Nano Letters, 15,1660 (2015).

[9]B. Li, L. Huang, M. Zhong, N. J. Huo, Y. T. Li, S. Yang, C. Fan, J. Yang, W. P. Hu,  Z. M. Wei* and Jingbo Li*, “Synthesis and Transport Properties of Large-Scale  Alloy Co0.16Mo0.84S2 Bilayer Nanosheets”, ACS Nano, 9,1257 (2015).

[10] X. T. Wang, Y. Li, L. Huang, X. W. Jiang, L. Jiang, H. Dong, Z. M. Wei*, Jingbo Li*, and W. P. Hu*, “Short-Wave Near-Infrared Linear Dichroism of Two-Dimensional Germanium Selenide”, J. Am. Chem. Soc. 139, 14976 (2017).

 

4.gif

(十个代表性专利):

[1]中国发明专利,一种用于生长半导体薄膜的图形化衬底的制备方法,授权号:ZL 201410109879.3

[2]中国发明专利,一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,授权号:ZL 200910241698.5

[3]中国发明专利,种GaAs基垂直腔面发射激光器件及其制造方法,授权号:ZL 201710239555.5

[4]中国发明专利,泡生法生长蓝宝石晶体的自动引晶方法, 授权号:ZL 2012103743914

[5]中国发明专利,一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法,授权号:ZL 2012101968843

[6]中国发明专利,一种染料敏化太阳能电池高效复合光阳极的制备方法,授权号:ZL 2011101546885

[7]中国发明专利,一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法,授权号:ZL 2011101534873

[8]中国发明专利,纳米碳包覆的锂电池负极材料的制备方法,授权号:ZL 2010106194799

[9]中国发明专利,氮化镓系发光二极管, 授权号:ZL 2010101576119

[10]中国发明专利,基于WS2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器,授权号:ZL 201610651652.0

 


 

 

 

 

CopyRight ©2020半导体科学技术研究院|| 地址:广州市中山大道西55号华南师大半导体院 || 邮编:510631