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中美贸易摩擦和中兴事件,给中国半导体科学技术发展提供新的机遇和挑战。半导体科技是现代信息产业的基础和核心,是我国科技发展乃至综合国力的核心技术,中国半导体业近年来虽然在不断成长,但产业链覆盖不完整,大部分关键环节仍未突破瓶颈,当基于的商业信任和自由贸易规则遭破坏,核心技术被“卡脖子”无疑是一记当头棒喝,未来中国必须高度重视半导体科技的供应安全与自主可控,中国半导体产业将进入技术能力全面提升、创新活力空前增强、产品需求多元化全覆盖的结构性改革阶段。

面对国家半导体芯片产业的重大需求和半导体产业发展的重要历史机遇,半导体科学技术研究院一个重要的研究方向为:新型半导体掺杂机制研究、功率半导体器件等核心关键技术的研究与应用,以功率半导体芯片外延生长、掺杂技术、芯片异质结设计和散热、深紫外发光芯片等关键科学问题研究为支撑,攻克SiC/GaN等第三代半导体材料制备与器件研制的关键技术,为高压高频低功耗的功率半导体器件应用奠定科学基础,培育和凝聚一批具有国际领先水平的研究队伍,为华南师范大学世界“双一流”物理学科建设做出重要贡献,同时提升广东省半导体产业的创新能力,促进我国功率半导体器件相关高技术产业的发展与升级。

另一方面,目前国际上在半导体学科的基础研究领域空前活跃。以石墨烯、MoS2为代表的新型二维半导体材料的兴起,给传统半导体,特别是窄带隙半导体提出了全新的前沿课题。最新研究表明:传统的窄带隙半导体在外场的调控下,可能具有拓扑绝缘体、狄拉克半金属、外尔半金属等特性,它们具有独特的电子结构,它在体内能带存在能隙,表现出绝缘体的行为;表面或边界的能带是无能隙的狄拉克锥能谱,因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性,如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、手性反常效应、量子反常霍尔效应、负磁阻效应等等,为探索低维/二维半导体新奇量子效应和器件应用提供了全新的思路。

产学研深度融合,是深化科技体制改革的一项重要内容,旨在实现企业、高校和科研院所等产学研主体的深度融合,形成创新合力。作为国家高度关注的产业,第三代半导体正以星火之势迅速崛起,作为半导体科学技术“学”和“研”的重要主体,我院应当响应政策、抓住机遇、乘势而上。放眼未来,打通半导体科学技术创新链条,不断促进科研成果有效转化,真正实现产学研深度融合,是占领第三代半导体发展制高点的必由之路,也是中国半导体人肩负的重要使命。

最后,我谨代表半科院的领导班子,衷心感谢所有关心和支持半科院发展的领导、老师和朋友们!向在半导体领域激情奋战的各位老师和研究生们致以最崇高的敬意!热烈欢迎各位朋友到半科院指导工作!

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  2020年5月18日

 

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